[发明专利]蓄电单元及蓄电系统有效
| 申请号： | 201880014936.6 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110352533B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 高木茂行;福士大辅;平林英明;片冈好则;佐佐木亮人;佐佐木敦也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
| 主分类号： | H01M10/48 | 分类号： | H01M10/48;H01M4/48;H01M10/052;H02J7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓄电单元，其具有：蓄电部，其在负极层或正极层中使用氧化钨，氧化钨以单斜晶、斜方晶及立方晶中的任1种晶体结构作为主体晶体；和控制电路，其在蓄电部的充放电中，将蓄电部的每1个电池的负极与正极之间的电位差控制在能以初期状态维持成为主体晶体的氧化钨晶体结构的种类的电位差。此外，蓄电系统由所述蓄电单元和二次电池组合而成。 | ||
| 搜索关键词： | 单元 系统 | ||
【主权项】：
1.一种蓄电单元，其具备：蓄电部，其在负极层或正极层中使用氧化钨，所述氧化钨以单斜晶、斜方晶及立方晶中的任1种晶体结构作为主体晶体；和控制电路，其在所述蓄电部的充放电中，将所述蓄电部的每1个电池的负极与正极之间的电位差控制在能以初期状态维持成为所述主体晶体的所述氧化钨晶体结构的种类的电位差。
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