[发明专利]为CMP位置特定研磨(LSP)设计的螺旋及同心圆移动在审

专利信息
申请号: 201880015033.X 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN110352115A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: E·刘;卓志忠;C·C·加勒森;吴政勋;向敬仪 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: B24B37/005 分类号: B24B37/005;B24B37/04;H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3105;H01L21/304
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 汪骏飞;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供一种方法,该方法使用位置特定研磨模块使当研磨基板的局部区域时基板上校正位置之间的行进距离与时间减至最少,该基板诸如半导体晶片。确定校正分布,且使用根据该校正分布的配方研磨基板。通过使用基板支撑卡盘与支撑臂的组合运动,研磨垫组件在第一校正位置与第二校正位置之间横越,该支撑臂于该支撑臂的第一端耦接至研磨垫组件。卡盘绕该卡盘的中心轴旋转。定位臂可绕垂直轴扫掠,该垂直轴配置成穿过支撑臂的第二端。该卡盘与该支撑臂的组合运动引发该研磨垫组件形成基板上的螺旋形研磨路径。
搜索关键词: 支撑臂 校正位置 研磨 研磨垫 卡盘 位置特定 研磨基板 组合运动 垂直轴 基板 同心圆 半导体晶片 方法使用 基板支撑 局部区域 行进距离 组件形成 第一端 定位臂 螺旋形 中心轴 盘绕 横越 扫掠 时基 耦接 校正 配方 穿过 移动 配置
【主权项】:
1.一种研磨基板的方法,包括下述步骤:将研磨垫定位在基板上、在所述基板的第一半径处,所述研磨垫由支撑臂支撑且具有接触部分表面区域,所述接触部分表面区域小于所述基板的表面区域;使用第一研磨配方在所述第一半径处研磨所述基板,所述第一研磨配方包括:第一研磨驻留时间;第一研磨向下力;及第一研磨速度;使用定位运动移动所述支撑臂,使得所述研磨垫于所述基板上从所述第一半径横越至第二半径;以及使用第二研磨配方在所述第二半径处研磨所述基板,所述第二研磨配方包括:第二研磨驻留时间;第二研磨向下力;及第二研磨速度。
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