[发明专利]磁存储器、磁存储器记录方法以及磁存储器读取方法在审
| 申请号： | 201880015594.X | 申请日： | 2018-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN110383461A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;G11C11/56;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种磁存储器，该磁存储器可以在一个存储单元(10)中记录多值信息的同时抑制制造成本的增加，该存储器包括：第一和第二隧道结元件(100a、100b)，该第一和第二隧道结元件(100a、100b)分别具有叠层结构，该叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层(202)、具有可逆磁化方向的记录层(206)、以及被夹在参考层与记录层之间的绝缘层(204)；第一选择晶体管(300)，该第一选择晶体管(300)电连接至第一和第二隧道结元件的第一端；第一配线(400a)，该第一配线(400a)电连接至第一隧道结元件的第二端；以及第二配线(400b)，该第二配线(400b)电连接至第二隧道结元件的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道结元件 磁存储器 配线 电连接 选择晶体管 叠层结构 参考层 记录层 绝缘层 读取 固定磁化方向 存储器 磁化方向 存储单元 多值信息 制造成本 第一端 可逆 记录 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，所述磁存储器包括：第一和第二隧道结元件，所述第一和第二隧道结元件分别具有叠层结构，所述叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层、具有可逆磁化方向的记录层、以及被夹在所述参考层与所述记录层之间的绝缘层；第一选择晶体管，所述第一选择晶体管电连接至所述第一和第二隧道结元件的第一端；第一配线，所述第一配线电连接至所述第一隧道结元件的第二端；以及第二配线，所述第二配线电连接至所述第二隧道结元件的第二端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880015594.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性电子基板的制作方法及基板结构
- 下一篇：磁存储器和磁存储器记录方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
