[发明专利]磁存储器和磁存储器记录方法在审
| 申请号： | 201880015595.4 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN110383462A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;G11C11/16;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | [问题]为了提供一种磁存储器，其中反转误差的发生可以被抑制并且可以实现稳定记录。[方案]一种磁存储器包括：自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生；磁存储元件，提供在自旋轨道层上并且具有由绝缘层和磁性层组成的叠层结构，在该磁性层中磁化方向根据要记录的信息改变；以及电压施加层，经由绝缘层向磁性层施加电压。电压施加层在电流在自旋轨道层中流动的同时向磁性层施加电压，从而改变磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 磁存储器 轨道层 自旋 绝缘层 电压施加层 施加电压 记录 自旋极化电子 磁存储元件 磁各向异性 磁化方向 电流产生 叠层结构 磁阻尼 反转 流动 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器，包括：自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生；磁存储元件，具有叠层结构并且设置在所述自旋轨道层上，该叠层结构包括绝缘层和其中磁化方向根据要记录的信息改变的磁性层；以及电压施加层，用于经由所述绝缘层向所述磁性层施加电压，其中所述电压施加层在所述电流在所述自旋轨道层中流动的同时向所述磁性层施加电压，以改变所述磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880015595.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁存储器、磁存储器记录方法以及磁存储器读取方法
- 下一篇：半导体开关器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
