[发明专利]碳化硅超结功率半导体器件及用于制造该器件的方法有效
| 申请号： | 201880015669.4 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110366783B | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | F.鲍尔;L.克诺尔;M.贝利尼;R.米纳米萨瓦;U.韦姆拉帕蒂 | 申请（专利权）人： | 日立能源瑞士股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 王其文;张涛 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件包括具有第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）的半导体晶片（101）。半导体晶片（101）包含具有第一传导性类型的第一半导体层（2）和多个柱状或板状的第一半导体区域（5），所述多个柱状或板状的第一半导体区域在与第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）垂直的垂直方向上在第一主侧表面（3）和第二主侧表面（4）之间的第一半导体层（2）中延伸。第一半导体区域（5）具有不同于第一传导性类型的第二传导性类型。其中，第一半导体层（2）是六方碳化硅的层。第一半导体区域（5）是3C多型碳化硅的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 半导体器件 用于 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结功率半导体器件，包括：半导体晶片（101；301；401；501；601），所述半导体晶片具有第一主侧表面（3；33；43；53；63）和第二主侧表面（4；34；44；54；64），所述半导体晶片（101；301；401；501；601）包含：第一半导体层（2；32；42；52），所述第一半导体层具有第一传导性类型；以及多个柱状或板状的第一半导体区域（5），所述多个柱状或板状的第一半导体区域在与所述第一主侧表面（3；33；43；53；63）和所述第二主侧表面（4；34；44；54；64）垂直的垂直方向上在所述第一主侧表面（3；33；43；53；63）和所述第二主侧表面（4；34；44；54；64）之间的所述第一半导体层（2；32；42；52）中延伸，所述第一半导体区域（5）具有不同于所述第一传导性类型的第二传导性类型，其中所述第一半导体层（2；32；42；52）是六方碳化硅的层，其特征在于：所述第一半导体区域（5）是3C多型立方碳化硅的区域。
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