[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 201880015876.X | 申请日： | 2018-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110392922B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 伊藤千夏;祖父江功弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 韩丁 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种配置有IO单元的半导体集成电路装置，能够利用多层布线来抑制电源电压下降。形成于多个布线层的电源布线(41a、41b、41c)沿与IO单元(10)的排列方向相同的X方向延伸。在电源IO单元(21)的区域，在未形成有电源布线(41b)的布线层，配置有沿Y方向延伸的电源布线(51)，并且，在X方向上的两端且在Y方向上与形成于信号IO单元(11)的区域的电源布线(41b)相同的位置，配置有布线片(61a、61b)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：所述半导体集成电路装置包括IO单元列和第一电源布线，所述IO单元列由在第一方向上排列配置的多个IO单元构成，所述第一电源布线在所述IO单元列的区域，以沿所述第一方向延伸的方式形成于多个布线层，并供给第一电源电压，多个所述IO单元包括进行信号的输入、输出或者输入输出的信号IO单元和进行第二电源电压的供给的电源IO单元，在多个所述布线层中的一个即第一层中，所述第一电源布线形成于所述信号IO单元的区域，而所述第一电源布线未形成于所述电源IO单元的区域，在所述电源IO单元的区域的所述第一层，以沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸的方式配置有供给所述第二电源电压的第二电源布线，并且，在所述第一方向上的两端且所述第二方向上的与形成于所述信号IO单元的区域的所述第一电源布线相同的位置，配置有布线片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
