[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201880015967.3 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN110494992B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 罗锺浩;权五敏;宋俊午;吴正铎 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/22;H01L33/04;H01L33/48;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一个实施例涉及一种半导体器件和包括该半导体器件的发光器件封装。根据实施例的半导体器件可以包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上并包括V形坑；有源层，设置在第二半导体层上；第三半导体层，位于有源层上，具有比有源层的带隙宽的带隙；第四半导体层，其带隙窄于第三半导体层上的第三半导体层的带隙；第四半导体层，位于第三半导体层上，其带隙比第三半导体层的带隙窄；其中，第三半导体层和第五半导体层包括铝组分，第五半导体层的带隙等于或宽于第三半导体层的带隙。根据该实施例的半导体器件不仅可以通过2DHG效应提高空穴注入效率，而且可以增加通过V形坑注入的载流子的注入，从而提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 包括 发光 器件 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括/n第一半导体层；/n第二半导体层，设置在第一半导体层上并包括V形坑；/n有源层，设置在第二半导体层上；/n第三半导体层，位于所述有源层上，具有比有源层的带隙宽的带隙；/n第四半导体层，设置在第三半导体层上；和/n第五半导体层，位于第四半导体层上，具有比第四半导体层的带隙宽的带隙；/n其中第三半导体层和第五半导体层包含铝组分，/n其中第五半导体层的带隙等于或宽于第三半导体层的带隙。/n
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