[发明专利]用于晶片键合的牺牲对齐环和自焊接过孔有效
| 申请号： | 201880016093.3 | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN110383457B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | J·H·萨托;B·陈;W·伦迪 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/488;H01L25/065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽;陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中第一基底包括在第一基底的顶部表面上的第一电接触件，并且其中第二基底包括在第二基底的底部表面上的第二电接触件。该方法包括在第一基底的顶部表面上形成聚酰亚胺块，其中聚酰亚胺块具有圆形的上角，并且将第一基底的顶部表面和第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至第一电接触件邻接第二电接触件，其中在移动期间，第二基底与聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使第一基底和第二基底相对于彼此横向移动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 牺牲 对齐 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种将第一基底键合到第二基底的方法，其中所述第一基底包括在所述第一基底的顶部表面上的第一电接触件，并且其中所述第二基底包括位于所述第二基底的底部表面上的第二电接触件，所述方法包括：在所述第一基底的所述顶部表面上形成聚酰亚胺块，其中所述聚酰亚胺块具有圆形的上角；以及将所述第一基底的顶部表面和所述第二基底的底部表面朝彼此垂直移动，直至所述第一电接触件邻接所述第二电接触件，其中在所述移动期间，所述第二基底与所述聚酰亚胺的圆形的上角接触，致使所述第一基底和所述第二基底相对于彼此横向移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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