[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880016313.2 | 申请日： | 2018-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN110383492A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;村川努;木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的第一绝缘体；第一绝缘体上的氧化物；氧化物上的第二绝缘体；第二绝缘体上的导电体；与第二绝缘体的侧面及导电体的侧面接触的第三绝缘体；至少与氧化物的顶面接触且与第三绝缘体的侧面及导电体的顶面接触的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中，第六绝缘体包含氧，并且，第六绝缘体和第一绝缘体具有彼此接触的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体装置 导电体 氧化物 顶面 侧面接触 高集成化 微型化 侧面 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底上的第一绝缘体；所述第一绝缘体上的氧化物；所述氧化物上的第二绝缘体；所述第二绝缘体上的导电体；与所述第二绝缘体的侧面及所述导电体的侧面接触的第三绝缘体；至少与所述氧化物的顶面接触且与所述第三绝缘体的侧面及所述导电体的顶面接触的第四绝缘体；所述第四绝缘体上的第五绝缘体；所述第五绝缘体上的第六绝缘体；以及所述第六绝缘体上的第七绝缘体，其中，所述第六绝缘体包含氧，并且，所述第六绝缘体和所述第一绝缘体具有彼此接触的区域。
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