[发明专利]蚀刻装置

摘要

本发明的课题在于提供实现了抑制III族氮化物半导体的过度蚀刻的蚀刻装置。作为解决本发明课题的方法涉及一种蚀刻装置(1000)，其具有处理室(1001)、基座(1100)、气体供给部(1500)、等离子体产生部(1300)以及第一电位赋予部(1200)。等离子体产生部(1300)产生感应耦合等离子体。第一气体为包含Cl2和BCl3的氯系混合气体。BCl3在第一气体中所占的体积比越大，则第一电位赋予部(1200)对于基座(1100)赋予的偏压的绝对值越小。第一电位赋予部(1200)以满足‑1200·X+290≤Vpp≤‑1200·X+480的方式将偏压赋予至基座(1100)。

主权项

1.一种蚀刻装置，其特征在于，具有：对III族氮化物半导体进行蚀刻的处理室，保持所述III族氮化物半导体的基板保持部，向所述处理室的内部供给第一气体的气体供给部，将所述第一气体进行等离子体化的等离子体产生部，以及对于所述基板保持部赋予高频电位的第一电位赋予部；所述第一气体为包含Cl₂和BCl₃的氯系混合气体，BCl₃在所述第一气体中所占的体积比越大，则所述第一电位赋予部对于所述基板保持部赋予的偏压的绝对值越小，所述第一电位赋予部以满足下式的方式将偏压赋予至所述基板保持部，Vpp≤‑1200·X+480Vpp≥‑1200·X+2900.01≤X≤0.4其中，Vpp表示以V计的偏压，X表示BCl₃在第一气体中所占的体积比。