[发明专利]存储器单元及集成式结构在审
| 申请号： | 201880017756.3 | 申请日： | 2018-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110431665A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | C·M·卡尔森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11568;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器单元按以下次序包括：沟道材料、电荷通过结构、电荷存储材料、电荷阻挡区域及控制栅极。所述电荷通过结构包括：第一材料，其最靠近于所述沟道材料；第三材料，其距所述沟道材料最远；及第二材料，其介于所述第一材料与所述第三材料之间。所述第一材料的介电常数(k)小于5.0。所述第二材料的能带隙(BG)与电子亲和力(chi)的和不大于6.7eV。所述第二材料的k是至少5.0。所述第三材料的BG与chi的和小于9.0eV且比所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和大至少0.5eV。 | ||
| 搜索关键词： | 第二材料 第一材料 沟道材料 电荷 存储器单元 电荷存储材料 电子亲和力 集成式结构 介电常数 控制栅极 阻挡区域 能带隙 | ||
【主权项】：
1.一种存储器单元，其按以下次序包括：沟道材料；电荷通过结构；电荷存储材料；电荷阻挡区域；控制栅极；且所述电荷通过结构包括：第一材料，其最靠近于所述沟道材料；第三材料，其距所述沟道材料最远；及第二材料，其介于所述第一材料与所述第三材料之间；所述第一材料的介电常数(k)小于5.0；所述第二材料的能带隙(BG)与电子亲和力(chi)的和不大于6.7eV，所述第二材料的k是至少5.0；且所述第三材料的BG与chi的和小于9.0eV且比所述第二材料的所述BG与所述chi的所述和大至少0.5eV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
