[发明专利]传感器标记和制造传感器标记的方法有效
| 申请号： | 201880017997.8 | 申请日： | 2018-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110431485B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | J·A·克鲁格基斯特;V·Y·巴宁;J·F·M·贝克斯;M·贾姆布纳坦;M·A·纳萨勒维克;A·尼基佩洛维;R·J·W·斯塔斯;D·F·弗勒斯;W·J·J·韦尔特斯;S·赖克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G01J1/42 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种传感器标记，包括衬底(200)，该衬底具有：第一深紫外(DUV)吸收层(310，320，330)，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层(600)，包括第二材料；其中：第一DUV吸收层中具有第一通孔(500)；第一保护层在平面图中位于第一通孔(500)中，并且第一通孔中的第一保护层具有包括多个通孔(700)的图案化区域；并且第二材料比第一材料更优质。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 标记 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种传感器标记，包括：衬底，具有：第一深紫外(DUV)吸收层，包括基本上吸收DUV辐射的第一材料；第一保护层，包括第二材料；以及其中：所述第一DUV吸收层中具有第一通孔；所述第一保护层在平面图中位于所述第一通孔中，并且所述第一通孔中的所述第一保护层具有包括多个通孔的图案化区域；并且所述第二材料比所述第一材料更优质。
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