[发明专利]一种用于薄膜沉积系统的沉积单元有效
申请号: | 201880018055.1 | 申请日: | 2018-02-28 |
公开(公告)号: | CN110382737B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | T.M.斯帕思;L.W.塔特 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 安宁;李建新 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于薄膜沉积系统的沉积单元包括沉积头中的一个或多个以及气体歧管。各沉积头包括:具有多个气体开口的输出面、包括多个沉积头气体端口的安装面、以及连接的气体通道。气体歧管包括附接面,附接面具有一个或多个界面区域,各界面区域包括在与沉积头气体端口相对应的位置中的多个歧管气体端口。各沉积头在界面区域中以定位在歧管气体端口与沉积头气体端口之间的密封元件来紧固到气体歧管。各沉积头的安装面及气体歧管的附接面包括对准特征,对准特征用于使各沉积头与气体歧管的界面区域对准。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 沉积 系统 单元 | ||
【主权项】:
1.一种用于薄膜沉积系统的沉积单元,包括:机器基部;沉积头中的一个或多个,各沉积头包括:输出面,所述输出面具有多个气体开口;安装面,所述安装面与所述输出面相对并且与所述输出面平行,所述安装面包括多个沉积头气体端口;以及气体通道,所述气体通道将在所述输出面上的所述气体开口中的各个连接到所述沉积头气体端口中的一个;以及气体歧管,所述气体歧管刚性地附接到所述机器基部,所述气体歧管包括:附接面,所述附接面具有一个或多个界面区域,各界面区域构造为与沉积头的所述安装面交界,并且包括在与所述沉积头气体端口相对应的位置中的多个歧管气体端口;多个气体连接;以及气体通道,所述气体通道将所述歧管气体端口中的各个连接到所述气体连接中的一个;其中,所述沉积头中的各个在界面区域中以定位在所述歧管气体端口与所述沉积头气体端口之间的密封元件来刚性地紧固到所述气体歧管;其中,各沉积头的所述安装面及所述气体歧管的所述附接面包括对准特征,所述对准特征用于使各沉积头与所述气体歧管的所述界面区域对准。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的