[发明专利]用于形成光电器件的生长基板、制造该基板的方法以及该基板特别是在微显示器领域的使用有效
| 申请号： | 201880018523.5 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110447100B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | D·索塔;奥利弗·勒杜;O·邦宁;J-M·贝斯奥谢;莫尔加纳·洛吉奥;R·考尔米隆 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东;黄纶伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于形成光电器件的生长基板(1)，其包括生长介质(2)以及设置在该生长介质(2)上的具有第一晶格参数的第一组晶体半导体岛状物(3a)以及具有不同于第一晶格参数的第二晶格参数的第二组晶体半导体岛状物(3b)。本发明还涉及一种用于制造该生长基板的方法以及用于在该生长基板上集体制造多个光电器件的方法。本发明用于提供单片式发光二极管微面板或微显示器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 光电 器件 生长 制造 方法 以及 特别是 显示器 领域 使用 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有各种晶格参数的多个晶体半导体岛状物(3a,3b)的方法，其中，该方法包括以下步骤：‑提供弛豫基板(6)，该弛豫基板(6)包括介质(7)、设置在所述介质(7)上的流层(8)以及布置在所述流层上的多个晶体半导体岛状物(9)，所述多个晶体半导体岛状物(9)具有相同的初始晶格参数，并且包括具有第一横向膨胀势的第一组岛状物(9a)以及具有不同于所述第一横向膨胀势的第二横向膨胀势的第二组岛状物(9b)；‑在高于或等于所述流层(8)的玻璃化转变温度的弛豫温度下对所述弛豫基板(6)进行热处理以导致所述第一组和所述第二组的岛状物的差异化弛豫，这是因为所述第一组的弛豫岛状物(3a)和所述第二组的弛豫岛状物(3b)的晶格参数然后具有不同的值。
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