[发明专利]离子植入系统及其方法和处理离子束的减速级有效
| 申请号： | 201880018810.6 | 申请日： | 2018-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN110622277B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·辛克莱;丹尼尔·泰格尔;可劳斯·贝克 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张晓霞;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供一种离子植入系统及其方法和处理离子束的减速级。离子植入系统可包括：离子源，产生离子束；衬底平台，设置在离子源的下游；以及减速级，包括使离子束偏转的组件，其中所述减速级设置在离子源与衬底平台之间。所述离子植入系统还可包括向减速级提供氢气的氢来源，其中从离子束产生的高能中性物质不散射到衬底平台。本公开的离子植入系统能提供方便且安全地减少由高能中性物质引起的能量污染的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 植入 系统 及其 方法 处理 离子束 减速 | ||
【主权项】：
1.一种离子植入系统，其特征在于，包括：/n离子源，产生离子束；/n衬底平台，设置在所述离子源的下游；/n减速级，包括使所述离子束偏转的组件，所述减速级设置在所述离子源与所述衬底平台之间；以及/n氢来源，向所述减速级提供氢气，/n其中从所述离子束产生的高能中性物质不散射到所述衬底平台。/n
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