[发明专利]碳化硅半导体装置、电力变换装置、碳化硅半导体装置的制造方法以及电力变换装置的制造方法在审

申请号：	201880019001.7	申请日：	2018-04-06
公开（公告）号：	CN110462801A	公开（公告）日：	2019-11-15
发明（设计）人：	中田和成	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L21/329	分类号：	H01L21/329;H01L21/301;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872
代理公司：	11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	肖靖<国际申请>=PCT/JP2018/
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	半导体层(11)具有第1面(P1)、第2面(P2)以及第1侧面(S1)。碳化硅基板(12)具有与第2面(P2)相对的第3面(P3)、第4面(P4)以及第2侧面(S2)。第1电极层(16)和第1面(P1)的一部分形成界面。绝缘膜(15)在半导体层(11)的第1面(P1)上设置于第1电极层(16)的周围。第2电极层(18)设置于第4面(P4)上，在面内方向上，向第1面(P1)和第1电极层(16)所形成的界面的外部延伸。遍及半导体层(11)的第1侧面(S1)上以及碳化硅基板(12)的第2侧面(S2)上而设置有破碎层(20)。第2侧面(S2)上的破碎层(20)的厚度比第1侧面(S1)上的破碎层(20)的厚度大。
搜索关键词：	电极层侧面半导体层破碎层碳化硅基板厚度比绝缘膜内方向外部延伸
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【主权项】：

1.一种碳化硅半导体装置(91～93)，具备：/n半导体层(11)，具有第1面(P1)、与所述第1面相反的第2面(P2)以及将所述第1面与所述第2面之间连结的第1侧面(S1)；/n碳化硅基板(12)，具有与所述第2面相对的第3面(P3)、与所述第3面相反的第4面(P4)以及将所述第3面与所述第4面之间连结的第2侧面(S2)；/n第1电极层(16)，离开所述半导体层的所述第1面的边缘而配置，与所述第1面的一部分形成界面；/n绝缘膜(15)，在所述半导体层的所述第1面上设置于所述第1电极层的周围；以及/n第2电极层(18)，设置于所述碳化硅基板的所述第4面上，在面内方向上，向所述半导体层的所述第1面和所述第1电极层所形成的所述界面的外部延伸，/n遍及所述半导体层的所述第1侧面上以及所述碳化硅基板的所述第2侧面上而设置有破碎层(20)，所述第2侧面上的所述破碎层的厚度比所述第1侧面上的所述破碎层的厚度大。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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