[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880019440.8 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110622320B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 永冈达司;山下侑佑;浦上泰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;赵晶 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n半导体基板，具有上表面和下表面；/n上表面电极，设置在所述半导体基板的上表面；及/n下表面电极，设置在所述半导体基板的下表面，/n在俯视观察时，所述半导体基板具有包含所述半导体基板的中心的第一范围和位于所述第一范围与所述半导体基板的外周缘之间的第二范围，/n在所述第一范围和所述第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构，/n所述MOSFET结构在所述第一范围与所述第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的所述体二极管的正向电压在所述第一范围中比在所述第二范围中高。/n
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