[发明专利]具有带有凹形弯曲部的底板的半导体模块有效

专利信息
申请号: 201880020471.5 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN110462820B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 贝恩德·屈滕 申请(专利权)人: 西门子股份公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/40
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李海霞
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 接触至少一个电子部件(4)的结构化的金属层(2)施加在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上。金属接触层(3)施加在基底(1)的下侧。基底(1)的下侧在基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面。接触层(3)经由中间层(6)与金属底板(7)连接。接触层(3)与金属底板(7)的连接在温度(T1)升高的情况下进行。随后进行半导体模块的冷却。金属底板(7)的朝向基底(1)的侧面和金属底板(7)的背离基底(1)的侧面在底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面。在半导体模块冷却时,底板(7)在其背离基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9)。
搜索关键词: 具有 带有 凹形 弯曲 底板 半导体 模块
【主权项】:
1.一种半导体模块的制造方法,/n-其中,在由电绝缘材料制成的基底(1)的上侧上施加结构化的金属层(2),并且所述结构化的金属层(2)接触至少一个电子部件(4),/n-其中,在所述基底(1)的下侧施加金属接触层(3),/n-其中,所述基底(1)的下侧在所述基底(1)没有机械应力的状态下构造为平的面,/n-其中,所述接触层(3)经由中间层(6)与金属的底板(7)连接,/n-其中,所述接触层(3)与金属的所述底板(7)的所述连接在温度(T1)升高的情况下进行,并且随后进行所述半导体模块的冷却,/n-其中,金属的所述底板(7)的朝向所述基底(1)的侧面和金属的所述底板(7)的背离所述基底(1)的侧面在所述底板(7)没有机械应力的状态下构造为平的面,并且/n-其中,所述底板(7)在所述半导体模块冷却时在所述底板的背离所述基底(1)的侧面上形成凹形弯曲部(9),/n其特征在于,金属的所述底板(7)经由至少一个布置在所述凹形弯曲部(9)的中央区域中的连接元件(10)与冷却体(L)连接,并且所述底板压靠所述冷却体(11)。/n
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