[发明专利]清洁液组合物在审
| 申请号： | 201880020708.X | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110462795A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 谷口优美子;高中亚铃治;大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D1/22;C11D3/04;C11D3/20;C11D17/08 |
| 代理公司： | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马莉华;徐迅<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。 | ||
| 搜索关键词： | 清洁液组合物 基板 清洁半导体 玻璃基板 氢离子 化学机械抛光设备 阴离子界面活性剂 氟原子 还原剂 清洁室 无机酸 擦洗 浆料 磨粒 去除 附带 | ||
【主权项】：
1.一种清洁液组合物，用于清洁半导体基板或玻璃基板界面，其特征在于，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
