[发明专利]钛层或含钛层的蚀刻液组合物及蚀刻方法在审
| 申请号： | 201880020746.5 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110462799A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木辽;高桥秀树;横山大雅 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 31266 上海一平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐迅;马思敏<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻液组合物 含钛层 钛层 氧化物半导体层 蚀刻 碱性化合物 蚀刻氧化物 选择性蚀刻 过氧化氢 钛合金 铵离子 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻液组合物，上述蚀刻液组合物用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，其特征在于，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。/n
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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