[发明专利]光掩模坯料、光掩模及光掩模的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种具有良好的晶圆转印特性和耐照射性的光掩模坯料和光掩模。光掩模坯料(200)是为了制作曝光波长193nm的光掩模所使用的光掩模坯料(200)，所述光掩模坯料(200)具备：透光性基板(103)；形成在该透光性基板(103)上且带来相移效应的相移膜(102)，相移膜(102)对曝光光的透光率为30％以上；和形成在该相移膜(102)上的遮光膜(101)。相移膜(102)是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜(102b)、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜(102a)而构成的，所述第1相移膜(102b)的折射率n1为2.5以上2.75以下，衰减系数k1为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜(102a)的折射率n2为1.55以上2.20以下，衰减系数k2大于0且为0.1以下。

主权项

1.一种光掩模坯料，其是为了制作适应波长193nm的曝光光的光掩模所使用的光掩模坯料，其特征在于，/n所述光掩模坯料包括：/n透光性基板；/n形成在该透光性基板上且带来相移效应的相移膜；和/n形成在所述相移膜上的遮光膜，/n所述相移膜是通过层叠使用了氮化硅系材料的第1相移膜、和使用了氮氧化硅系材料的第2相移膜而构成的，/n所述相移膜对所述曝光光的透光率为30％以上，/n所述第1相移膜的折射率n₁为2.5以上2.75以下，所述第2相移膜的折射率n₂为1.55以上2.20以下，/n所述第1相移膜的衰减系数k₁为0.2以上0.4以下，所述第2相移膜的衰减系数k₂大于0且为0.1以下。/n