[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880021352.1 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110462838B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 田村隆博;根本道生 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L21/76;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有漂移区；晶体管部，其具有集电区；二极管部，其具有阴极区；以及边界部，其在半导体基板的上表面配置于晶体管部与二极管部之间，且具有集电区，在晶体管部的台面部和边界部的台面部设置有发射区和基区，基区在设置有发射区的台面部中具有基区与栅极沟槽部接触的部分即沟道部，将沟道部投影于边界部的台面部的上表面而得的区域在台面部的上表面中的密度比向晶体管部的台面部的上表面投影沟道部而得的区域的密度小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板，其具有第1导电型的漂移区；/n晶体管部，其形成于所述半导体基板，且具有第2导电型的集电区；/n二极管部，其形成于所述半导体基板，且具有第1导电型的阴极区；以及/n边界部，其形成于所述半导体基板，在所述半导体基板的上表面配置于所述晶体管部与所述二极管部之间，且具有所述集电区，/n所述晶体管部和所述边界部均具有：/n沟槽部，其在所述半导体基板的上表面包含1个以上的栅极沟槽部，该1个以上的栅极沟槽部具有长度方向，并且从所述半导体基板的上表面设置到所述半导体基板的内部；以及/n台面部，其被夹在2个所述沟槽部之间，/n在所述晶体管部的所述台面部和所述边界部的所述台面部设置有掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的发射区，/n在所述边界部的所述台面部的上表面，所述发射区与所述栅极沟槽部接触的部分即沟道部在所述台面部的上表面处的密度比所述晶体管部的所述台面部的上表面处的所述沟道部的所述密度小。/n
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