[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201880021738.2 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110521003B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 上田辉幸;北川英树;大东彻;今井元;铃木正彦;西宫节治;菊池哲郎;伊藤俊克;原健吾 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/00;G09F9/30;H01L21/28;H10K59/00;H01L29/423;H01L29/49;H10K50/00 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有源矩阵基板的氧化物半导体TFT(201)具有：氧化物半导体层(107)；上部栅极电极(112)，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上；以及源极电极(113)和漏极电极(114)，氧化物半导体层(107)在从基板的法线方向观看时包含：第1部分(p1)，其与上部栅极电极重叠；以及第2部分(p2)，其位于第1部分与源极接触区域或漏极接触区域之间，栅极绝缘层未覆盖第2部分，上部栅极电极(112)具有包含与栅极绝缘层接触的合金层(112L)和配置在合金层上的金属层(112U)的层叠结构，金属层由第1金属元素M形成，合金层由包含第1金属元素M的合金形成，第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，具备基板和支撑于上述基板的氧化物半导体TFT，其特征在于，/n上述氧化物半导体TFT具有：/n氧化物半导体层，其包含：沟道区域；以及源极接触区域和漏极接触区域，其分别配置在上述沟道区域的两侧；/n上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上；以及/n源极电极和漏极电极，上述源极电极与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触，上述漏极电极与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触，/n上述氧化物半导体层在从上述基板的法线方向观看时包含：第1部分，其与上述上部栅极电极重叠；以及第2部分，其位于上述第1部分与上述源极接触区域或上述漏极接触区域之间，上述栅极绝缘层未覆盖上述第2部分，/n上述上部栅极电极具有包含与上述栅极绝缘层接触的合金层和配置在上述合金层上的金属层的层叠结构，/n上述金属层由第1金属元素M形成，上述合金层由包含上述第1金属元素M的合金形成，上述第1金属元素M是Cu、Mo或Cr。/n
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