[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201880021925.0 申请日: 2018-04-06
公开(公告)号: CN110494760B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 田边圭;海野晶裕 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供能够抑制偏置磁场的影响的磁传感器。磁传感器包括:磁检测部,其包括施加检测对象的第1磁场的第1至第4磁阻效应元件(10,20,30,40);第1运算放大器(50),其被输入上述磁检测部的输出电压;第1磁场产生导体(70),其通过流动第1运算放大器(50)输出的第1负反馈电流,向上述磁检测部施加抵消上述磁检测部检测的上述第1磁场的第2磁场;偏置磁场检测单元,其检测施加于上述磁检测部的偏置磁场,输出与上述偏置磁场的大小相应的第2负反馈电流;和第2磁场产生导体(75),其通过流动上述第2负反馈电流,向上述磁检测部施加抵消上述磁检测部检测的上述偏置磁场的修正磁场。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
1.一种磁传感器,其特征在于,包括:/n包含第1和第2磁检测元件的磁检测部,其中,作为检测对象的第1磁场能够施加到所述第1和第2磁检测元件;/n第1差动放大器,所述磁检测部的输出电压输入到所述第1差动放大器;/n第1磁场产生导体,通过在其中流动所述第1差动放大器输出的第1负反馈电流,对所述第1和第2磁检测元件施加抵消所述第1和第2磁检测元件要检测的所述第1磁场的第2磁场;/n偏置磁场检测单元,其检测施加于所述第1和第2磁检测元件的偏置磁场的规定方向成分,输出与所述规定方向成分的大小相应的第2负反馈电流;和/n第2磁场产生导体,通过在其中流动所述第2负反馈电流,对所述第1和第2磁检测元件施加修正磁场,/n所述第1和第2磁检测元件的位置的所述偏置磁场的规定方向成分与所述修正磁场的规定方向成分的合计值大致一定。/n
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