[发明专利]摄像元件及摄像装置在审
| 申请号： | 201880023116.3 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110476252A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 濑尾崇志;高木彻;中山智史;安藤良次;加藤周太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王娟娟<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 摄像元件具备：光电转换部，其对入射的光进行光电转换而生成电荷；防反射部，其防止透射过所述光电转换部的光的至少一部分光的反射；和反射部，其将透射过所述光电转换部的光的一部分向所述光电转换部反射。 | ||
| 搜索关键词： | 光电转换部 透射 反射 防反射部 光电转换 摄像元件 电荷 反射部 入射 | ||
【主权项】：
1.一种摄像元件，其特征在于，具备：/n光电转换部，其对入射的光进行光电转换而生成电荷；/n防反射部，其防止透射过所述光电转换部的光的至少一部分光的反射；和/n反射部，其将透射过所述光电转换部的光的一部分向所述光电转换部反射。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
