[发明专利]利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法及蚀刻液组合物有效
| 申请号： | 201880023933.9 | 申请日： | 2018-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110495260B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 郑光春;金修汉;文晶胤;成铉俊;文炳雄 | 申请（专利权）人： | 印可得株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 宋宝库 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种选择性地仅蚀刻银或银合金或银化合物的蚀刻液组合物及利用该蚀刻液组合物的电路形成方法。本发明的电路形成方法的特征在于在导电性种子层(Seed layer)和电路层由异种金属形成的基板材料上，选择性地仅蚀刻种子层以实现微细间距。而且，涉及一种不蚀刻镀铜(Cu)电路，选择性地仅蚀刻银(Ag，silver)或银合金(Silver alloy)或银化合物(Silver compound)种子层的电路形成方法和蚀刻液组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 导电性 金属 薄膜 种子 选择性 蚀刻 电路 形成 方法 组合 | ||
【主权项】：
1.一种利用导电性金属薄膜种子层的选择性蚀刻的电路形成方法，其特征在于，包括：/n通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂布、浸渍等工序使用银或银合金或银化合物在基板材料上形成种子层的步骤(S11)；/n利用光固化树脂在所述种子层上形成图案槽的步骤(S12)；/n通过电解镀或无电解镀在所述图案槽上镀铜以实现电路的步骤(S13)；/n去除所述光固化树脂而露出种子层的步骤(S14)；及/n利用能够选择性地蚀刻银或银合金或银化合物的选择性蚀刻液去除所述露出的种子层的步骤(S15)。/n
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