[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880023964.4 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110521002B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 森川贵博 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明能够提高半导体器件的可靠性。在功率半导体器件的单位单元(UC)的与源极区域(8S)的长度方向的两端部相邻的部分中，以覆盖源极区域(8S)的长度方向的两端部的侧部的方式形成p型的短边侧主体区域(7B3)。而且，使p型的短边侧主体区域(7B3)的杂质浓度比p型的长边侧主体区域(7B2)的杂质浓度高。由此，使功率半导体器件的单位单元(UC)的与源极区域(8S)的长度方向的两端部相邻的部分(p型的短边侧主体区域(7B3))的阈值电压比与源极区域(8S)的宽度方向的两端部相邻的部分(p型的长边侧主体区域(7B2))的阈值电压高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n第一导电类型的半导体衬底，其具有第一面和位于所述第一面的相反侧的第二面；/n第一导电类型的第一半导体区域，其形成于所述半导体衬底的所述第一面，在平面视图中第一方向的长度比与所述第一方向交叉的第二方向的长度长，并且在截面视图中从所述第一面起在所述半导体衬底的深度方向上延伸；/n与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二半导体区域，其设置于所述半导体衬底，在平面视图中覆盖第一半导体区域，并且在截面视图中从所述第一半导体区域的底部起在所述半导体衬底的深度方向上延伸；/n第二导电类型的第三半导体区域，其形成于所述半导体衬底的所述第一面，在平面视图中与所述第一半导体区域的所述第二方向的两端部相邻，并且在截面视图中从所述第一面延伸到所述第二半导体区域；和/n在所述半导体衬底的所述第一面上隔着绝缘膜设置的栅极电极，/n与所述第一半导体区域的所述第一方向的两端部相邻的第一部分的阈值电压，高于与所述第一半导体区域的所述第二方向的两端部相邻的第二部分的阈值电压。/n
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