[发明专利]一种LED芯片结构有效
| 申请号： | 201880025547.3 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN110800116B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 王晶;张昀;吴俊毅 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本案提出了一种LED芯片结构，其包括一载体，载体上的一半导体层序列，一反射层序列配置在载体和半导体层序列之间，反射层序列具有一面向半导体层序列的增透膜层和一远离半导体层序列的金属镜面层，半导体序列包括：第一导电性半导体层、发光层和第二导电性半导体层，其特征在于：半导体序列与增透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或图案化面，增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面，该光滑面能够有效提高侧面出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 | ||
【主权项】：
权利要求书 /n [权利要求 1] 一种 LED芯片结构， 其包括一载体， 载体上的一半导体层序列， 一反 射层序列配置在载体和半导体层序列之间， 反射层序列具有一面向半 导体层序列的增透膜层和一远离半导体层序列的金属镜面层， 半导体 序列包括： 第一导电性半导体层、 发光层和第二导电性半导体层， 其 特征在于： 半导体序列与增透膜之间的界面至少部分区域为粗化面或 图案化面， 增透膜层与金属镜面层的界面是光滑面。 /n [权利要求 2] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 半导体序列与增 透膜层之间存在电流扩展层， 所述电流扩展层与增透膜层之间为粗化 面或图案化面。 /n [权利要求 3] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 所述的增透膜层 为透明导电层， 其折射率低于半导体序列折射率。 /n[权利要求 4] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 半导体层序列的 侧面为粗化或图案化面。 /n[权利要求 5] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 半导体层序列的 顶面出光面是粗化或图案化处理面。 /n[权利要求 6] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 所述的图案化面 的图案结构蚀刻形成， 图案为包括多个凹处， 凹处的宽度随着深度的 减小而扩大。 /n [权利要求 7] 根据权利要求 7所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 所述多个深入半 导体序列一侧宽度变窄的凹处具备的倾斜面的角度为 45。 /n[权利要求 8] 根据权利要求 1所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 定义所述半导体 序列与增透膜之间的界面的表面结构的平均高度 H或粗化面的平均粗 糙度为 Rz， 所述的增透膜层与金属反射层之间的界面的粗糙度 Rz’（表 面结构轮廓的最大高度） 为上述平均高度 H或平均粗糙度 Rz的至少一 半以下。 /n [权利要求 9] 根据权利要求 8所述的 LED芯片结构， 其特征在于： 定义所述的半导 体序列与增透膜之间的界面的漫反射率为
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