[发明专利]电阻变化元件的制造方法及电阻变化元件在审
| 申请号： | 201880025658.4 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN110537255A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 宫口有典;神保武人;真仁田峻;太田俊平;安炯祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李海龙;王刚<国际申请>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于成本低且电特性优异的电阻变化元件的制造。电阻变化元件的制造方法包括如下工序：在基板上形成第一氮化钛电极层。在上述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层。在上述第一金属氧化物层上形成具有与上述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层。在对上述基板施加偏置电压的同时，在上述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物层 氮化钛 电极层 电阻率 电阻变化元件 基板 偏置电压 电特性 溅射法 制造 施加 | ||
【主权项】：
1.一种电阻变化元件的制造方法，包括如下工序：/n在基板上形成第一氮化钛电极层；/n在所述第一氮化钛电极层上形成具有第一电阻率的第一金属氧化物层；/n在所述第一金属氧化物层上形成具有与所述第一电阻率不同的第二电阻率的第二金属氧化物层；以及/n在对所述基板施加偏置电压的同时，在所述第二金属氧化物层上通过溅射法形成第二氮化钛电极层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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