[发明专利]芯片的制造方法及硅芯片有效
| 申请号： | 201880025659.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN110520972B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 田口智也;坂本刚志 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/00;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种芯片的制造方法，包括：第1工序，对包含多个功能元件的基板设定第1切断预定线及第2切断预定线；第2工序，以覆盖上述功能元件且使包含上述第1切断预定线和上述第2切断预定线的交叉点的交叉区域露出的方式在上述基板形成掩模；第3工序，通过使用上述掩模将上述基板蚀刻，从上述基板将上述交叉区域除去而形成贯通孔；第4工序，沿着上述第1切断预定线在上述基板形成改质区域；第5工序，沿着上述第2切断预定线在上述基板形成改质区域；第6工序，沿着上述第1切断预定线及上述第2切断预定线将上述基板切断而形成芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的制造方法，其特征在于，/n包括：/n第1工序，对包含多个功能元件的基板设定第1切断预定线和第2切断预定线，所述第1切断预定线以通过所述功能元件间的方式延伸，所述第2切断预定线以通过所述功能元件间的方式朝向与所述第1切断预定线交叉的方向延伸；/n第2工序，以覆盖所述功能元件且使包含所述第1切断预定线和所述第2切断预定线的交叉点的交叉区域露出的方式，在所述基板形成掩模；/n第3工序，通过利用所述掩模对所述基板进行蚀刻，从所述基板将所述交叉区域除去而形成贯通孔；/n第4工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第1切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第1切断预定线在所述基板形成改质区域；/n第5工序，在所述第3工序之后，使激光的聚光点沿着所述第2切断预定线对于所述基板进行相对移动，由此沿着所述第2切断预定线在所述基板形成改质区域；以及/n第6工序，在所述第4工序及所述第5工序之后，沿着所述第1切断预定线及所述第2切断预定线将所述基板切断而形成对应于所述功能元件的芯片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
