[发明专利]RF滤波器的壳体结构及该壳体结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种用于RF滤波器的壳体结构。该壳体结构使得除了第一壁结构(WS1)和从第一壁结构向第二壁结构(WS2)突出的一个或多个谐振器(R1‑R6)之外，对置的第二壁结构(WS2)和位于壁结构(WS1、WS2)之间的连接结构(MW1‑MW5；EW1、EW2)也是同一一体式集成部件，并且使得在这种情况下，每个谐振器(R1‑R6)与朝向彼此定向的所述壁结构(WS1、WS2)两者以及位于所述壁结构之间的连接结构(MW1‑MW5、EW1‑EW2)同属于通过铸造、注射成型或3D打印而形成的同一一体式实体，每个谐振器(R1‑R6)在壳体结构中沿着介于所述壁结构(WS1、WS2)之间的方向延伸。

主权项

1.一种壳体结构，所述壳体结构用于RF滤波器，所述壳体机构包括：第一壁结构(WS1)、指向所述第一壁结构的对置的第二壁结构(WS2)、以及介于所述壁结构(WS1、WS2)之间的且连接所述壁结构(WS1、WS2)的连接结构(MW1-MW5；EW1、EW2)；所述壳体结构在位于所述壁结构(WS1、WS2)之间的区域中包括一个或多个谐振器隔室(C1-C6)，并且其中，一个或多个谐振器(R1-R6)从所述第一壁结构(WS1)朝向所述对置的第二壁结构(WS2)延伸，使得所述谐振器的电感端部(IE1)位于谐振器的基部(B1)的其中所述谐振器(R1)与所述第一壁结构(WS1)短路的一侧，并且所述谐振器的自由的电容端部(CE1)更靠近所述对置的第二壁结构(WS2)；所述壳体结构的特征在于，/n除了所述第一壁结构(WS1)和从所述第一壁结构朝向所述第二壁结构(WS2)突出的一个或多个谐振器(R1-R6)之外，所述对置的第二壁结构(WS2)和介于所述壁结构(WS1、WS2)之间的所述连接结构(MW1-MW5；EW1、EW2)也由同一一体式集成部件构成，并且在这种情况下，每个谐振器(R1-R6)与朝向彼此定向的所述壁结构(WS1、WS2)两者以及介于所述壁结构之间的所述连接结构(MW1-MW5、EW1-EW2)同属于通过铸造、注射成型或3D打印而形成的同一一体式集成实体，每个谐振器(R1-R6)在所述壳体结构中沿着介于所述壁结构(WS1、WS2)之间的方向延伸。/n