[发明专利]表面处理铜箔在审

专利信息
申请号: 201880026487.7 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN110546313A 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 鹤田隆宏;宇野岳夫;奥野裕子 申请(专利权)人: 古河电气工业株式会社
主分类号: C25D7/06 分类号: C25D7/06;B32B15/08;C23C28/00;C25D5/16;H05K3/38
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 李丹<国际申请>=PCT/JP2018/
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明题为“表面处理铜箔”。本发明的目的在于:消除铜箔与树脂的压制接合导致的粘接不良,该铜箔利用烯烃系硅烷偶联剂对铜箔的粗化处理面实施了硅烷偶联处理而成。本发明是一种表面处理铜箔,其中,在利用接触式粗糙度测定器进行测定时,粗化处理层侧的面的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,并且所述粗化处理侧的面的最小自相关长度Sal为0.20μm以上且0.85μm以下,并且所述粗化处理侧的面的界面扩展面积比(Sdr)为20%至300%的范围。
搜索关键词: 粗化处理 铜箔 表面处理铜箔 烯烃系硅烷偶联剂 表面粗糙度 粗化处理层 界面扩展 偶联处理 接合 测定器 粗糙度 接触式 面积比 自相关 树脂 硅烷 粘接 压制
【主权项】:
1.一种表面处理铜箔,其中,/n在利用接触式粗糙度测定器进行测定时,粗化处理侧的面的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,并且所述粗化处理侧的面的最小自相关长度Sal为0.20μm以上且0.85μm以下的范围,并且所述粗化处理侧的面的界面扩展面积比(Sdr)为20%以上且300%以下的范围。/n
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