[发明专利]高深宽比结构中的间隙填充的方法有效
| 申请号： | 201880026884.4 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110546753B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 程睿;A·B·玛里克;P·曼纳;陈一宏 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处说明用于无缝间隙填充的方法，包括以下步骤：在特征中沉积膜；处理膜以改变某些膜特性；以及从顶部表面选择性地蚀刻膜。重复沉积、处理以及蚀刻的步骤以在特征中形成无缝间隙填充。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 结构 中的 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，包括以下步骤：/n提供基板表面，在所述基板表面上具有至少一个特征，所述至少一个特征从所述基板表面延伸一深度至底表面，所述至少一个特征具有由第一侧壁和第二侧壁所界定的宽度；/n在所述基板表面以及所述至少一个特征的所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述底表面上形成膜，所述膜具有在所述特征的顶部处的厚度和在所述特征的底部处的厚度；/n处理所述膜，以改变所述膜的结构、成分或形态中的一者或多者，以形成经处理的膜；以及/n蚀刻所述经处理的膜，以从所述特征的所述顶部移除基本上所有的所述经处理的膜，且在所述特征的所述底部处留下至少一些所述经处理的膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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