[发明专利]反射系统、极紫外线曝光工具、光刻曝光工具及光学系统有效

专利信息
申请号: 201880027134.9 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN110892328B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 丹尼尔·基恩·史密斯;大卫·M·威尔森 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B17/06;G21K1/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡林岭
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开一种反射系统、极紫外线曝光工具、光刻曝光工具及光学系统。所述反射系统具有参考轴且包括反射图案源(承载实质上一维图案)以及仅有三个光学组件的组合,所述仅有三个光学组件依序设置以将入射于第一光学组件上的极紫外线辐射转移至所述图案源上。所述组合相对于所述图案源设置成固定的空间及光学关系,且表示一维极紫外线曝光工具的照明单元(IU),所述一维极紫外线曝光工具另外包括投影光学器件子系统,所述投影光学器件子系统被配置成在图像平面上利用仅有两束辐射形成所述图案源的光学图像。所述仅有两束辐射在所述图案源处起源于被转移至所述图案源上的所述极紫外线辐射。
搜索关键词: 反射 系统 紫外线 曝光 工具 光刻 光学系统
【主权项】:
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