[发明专利]具有集成式错误校正的DRAM存储器在审
| 申请号： | 201880027666.2 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN110546617A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | S·S·科塔马苏 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G11C8/16 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林斯凯<国际申请>=PCT/US2018 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器模块(100)包含存储器阵列(101)，所述存储器阵列(101)具有耦合到所述存储器阵列(101)的主要存取端口(103)。错误校正逻辑(102)耦合到所述存储器阵列(101)。统计数据寄存器(111)耦合到所述错误校正逻辑(102)。次要存取端口(112)耦合到所述统计数据寄存器(111)以允许通过外部装置(120)对所述统计数据寄存器(111)进行存取而不使用所述主要存取端口(103)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器阵列 耦合到 存取端口 统计数据 寄存器 错误校正 存储器模块 外部装置 存取 | ||
【主权项】：
1.一种模块，其包括：/n存储器阵列；/n主要存取端口，其耦合到所述存储器阵列；/n错误校正逻辑，其耦合到所述存储器阵列；/n统计数据寄存器，其耦合到所述错误校正逻辑；以及/n次要存取端口，其耦合到所述统计数据寄存器以通过外部装置提供对所述统计数据寄存器的存取。/n
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