[发明专利]氮化物系发光装置在审
| 申请号： | 201880027686.X | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110574245A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;西川透;中谷东吾;左文字克哉;狩野隆司;植田慎治 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/323 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物系发光装置(半导体激光装置(51a))具备：氮化物系半导体发光元件(半导体激光元件(11))，其在Al | ||
| 搜索关键词： | 氮化物系半导体发光元件 底座基板 基板 光导层 包层 多层 半导体激光元件 半导体激光装置 量子阱活性层 氮化物系 发光装置 依次层叠 金刚石 凹型 对置 翘曲 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系发光装置，具备：/n氮化物系半导体发光元件，其在Al
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