[发明专利]存储器阵列有效
| 申请号： | 201880027812.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110574160B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 山·D·唐;M·C·罗伯茨 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B53/20 | 分类号： | H10B53/20;H10B53/10;H10B53/30;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级。所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器。(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方。揭示额外实施例及方面。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替的层级，所述存储器单元个别地包括晶体管及电容器，(a)所述晶体管的沟道区或(b)所述电容器的一对电极中的一者位于(a)及(b)中的另一者正上方。/n
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