[发明专利]基于晶片的腐蚀以及时间依赖型化学效应有效
| 申请号： | 201880027813.6 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110574148B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 伦纳德·特德斯奇;丹尼尔·T·麦考密克;阿杜托·迪亚兹;本杰明·施瓦兹;谢平韩;畅训·李 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式也可包括残余化学反应诊断装置。该残余化学反应诊断装置可包括基板及在该基板上形成的残余化学反应传感器。在一实施方式中，该残余化学反应传感器响应于残余化学反应的存在而提供电输出。在一实施方式中，该基板为装置基板，且该传感器形成于该装置基板的刻划线中。在一替代实施方式中，该基板为处理发展基板。在一些实施方式中，该残余化学反应传感器包括：第一探针垫，其中多个第一臂自该第一探针垫延伸出来；及第二探针垫，其中多个第二臂自该第二探针垫延伸出来且与所述第一臂相互交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 晶片 腐蚀 以及 时间 依赖 化学 效应 | ||
【主权项】：
1.一种用于确定残余化学反应的存在的方法，包含以下步骤：/n在基板上形成传感器；/n将所述基板置于测试腔室中；/n在所述基板上执行诊断程序，其中在所述诊断程序期间记录来自所述传感器的电输出；及/n基于所记录的来自所述传感器的所述电输出，确定后续处理操作。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
