[发明专利]通过化学蚀刻去除选择性沉积缺陷有效
| 申请号： | 201880028187.2 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN110622284B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·W·安西斯;柯常;普拉瑟姆·杰恩;本杰明·施密格;蹇国强;迈克尔·S·杰克逊;周磊;伯·F·马;吴立其 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种将膜选择地沉积在相对于第二基板表面的第一基板表面上的方法。该方法包括：使基板暴露于阻隔分子，以于该第一表面上选择性沉积阻隔层。于该第二表面上选择性形成层并于该阻隔层上形成该层的缺陷。从该第一表面上的该阻隔层去除该缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 化学 蚀刻 去除 选择性 沉积 缺陷 | ||
【主权项】：
1.一种选择性沉积的方法，所述方法包含：/n提供具有第一材料及第二材料的基板，所述第一材料具有第一表面，所述第二材料具有第二表面；/n使所述基板暴露于阻隔化合物，以相对于所述第二表面而于所述第一表面上选择性沉积阻隔层，所述阻隔化合物包含至少一种阻隔分子；/n相对于所述第一表面而于所述第二表面上选择性形成一层并于所述第一表面上产生包含所述层的缺陷；及/n从所述第一表面上的所述阻隔层去除所述缺陷。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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