[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201880028773.7 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110574146A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具备半导体基板、设置于半导体基板的有源部、以及在半导体基板的上表面设置于有源部与半导体基板的外周端之间的边缘终端结构部，有源部具有晶体管部、以及在半导体基板的上表面与晶体管部交替地配置在预定的第一方向上的二极管部，半导体装置还具备端部寿命控制部，端部寿命控制部在边缘终端结构部设置于半导体基板的内部，并在第一方向上连续地设置于与至少两个以上的二极管部对置的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 边缘终端结构 半导体装置 二极管部 晶体管部 寿命控制 上表面 外周端 对置 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：/n半导体基板；/n有源部，其设置于所述半导体基板；以及/n边缘终端结构部，其在所述半导体基板的上表面设置于所述有源部与所述半导体基板的外周端之间，/n所述有源部具有：/n晶体管部；以及/n二极管部，其在所述半导体基板的上表面，与所述晶体管部交替地配置于预定的第一方向上，/n所述半导体装置还具备端部寿命控制部，所述端部寿命控制部在所述边缘终端结构部设置于所述半导体基板的内部，并且在所述第一方向上连续地设置于与至少两个以上的所述二极管部对置的范围内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
