[发明专利]双重间隔物浸没式光刻三重图案化流程和方法

摘要

描述了一种用于制造金属图案的系统和方法。在第一多晶硅层上形成多个心轴，所述第一多晶硅层在第一氧化物层的顶部上。每个心轴在第一氮化物的顶部上使用第二多晶硅。在所述心轴的侧壁上形成间隔物氧化物和间隔物氮化物以形成双重间隔物。沉积第二氧化物层，随后去除层直到到达所述心轴中的所述第一氮化物为止。基于多种可用方法中的选定方法来蚀刻区域，直到蚀刻所述第一氧化物层从而提供用于所述金属图案的沟槽为止。去除所述第一氧化物层上的剩余材料，随后将金属沉积在所述第一氧化物层中的所述沟槽中。

主权项

1.一种半导体器件制造工艺，所述半导体器件制造工艺包括：/n在第一多晶硅层的顶部上形成第一氮化物层，所述第一多晶硅层在第一氧化物层的顶部上；/n将第二多晶硅层沉积在所述第一氮化物层的顶部上；/n将光致抗蚀剂层沉积在所述第二多晶硅层的顶部上；/n在所述光致抗蚀剂层中蚀刻出光致抗蚀剂沟槽，直到到达所述第二多晶硅层为止，其中至少一个光致抗蚀剂沟槽具有用于将要形成的一组金属图案的宽度；/n蚀刻在所述光致抗蚀剂沟槽中的所述第二多晶硅层和所述第一氮化物层中的每一者，直到到达所述第一多晶硅层为止，这形成包括剩余的光致抗蚀剂、剩余的第二多晶硅和剩余的第一氮化物的第一多个心轴；/n从所述第一多个心轴去除所述剩余的光致抗蚀剂；/n将保形的间隔物氧化物层沉积在所述第一多个心轴和所述第一多晶硅层的暴露区域上方；/n蚀刻所述保形的间隔物氧化物层，从而在所述第一多个心轴中的每一者上留下侧壁；/n将保形的间隔物氮化物层沉积在所述第一多个心轴和所述第一多晶硅层的暴露区域上方；以及/n蚀刻所述保形的间隔物氮化物层，从而在所述第一多个心轴上留下侧壁，以形成包括剩余的间隔物氮化物和剩余的间隔物氧化物的双重间隔物。/n