[发明专利]用于在半导体应用中使用超临界流体的方法和设备有效
| 申请号： | 201880029367.2 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN110582836B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 简·德尔马斯;史蒂文·韦尔韦贝克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于处理基板的方法和设备。二氧化碳液体的进料流在压力下自进料供应器被供应至纯化容器。在该纯化容器中的该二氧化碳液体在单级蒸馏工艺中被蒸馏以形成纯化的二氧化碳气体。该处理方法包含以下步骤：通过与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷凝在该冷凝器中的该纯化的二氧化碳气体以形成纯化的二氧化碳液体。该纯化的二氧化碳液体被加热至高于临界点的目标温度以使该纯化的二氧化碳液体变为超临界二氧化碳流体。该处理方法包含以下步骤：使用该超临界二氧化碳流体以清洁被设置在处理腔室中的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 应用 使用 临界 流体 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：/n提供二氧化碳液体的进料供应器；/n在压力下将来自所述进料供应器的所述二氧化碳液体的进料流供应至纯化系统的纯化容器；/n利用在所述纯化容器中的蒸馏加热器将热供应至在所述纯化容器中的所述二氧化碳液体；/n在单级蒸馏工艺中蒸馏在所述纯化容器中的所述二氧化碳液体以形成纯化的二氧化碳气体；/n经由蒸馏流体管线将来自所述纯化容器的所述纯化的二氧化碳气体供应至纯化系统冷凝器；/n通过与来自制冷系统的制冷剂进行热交换来冷凝在所述纯化系统冷凝器中的所述纯化的二氧化碳气体以形成纯化的二氧化碳液体；/n加热所述纯化的二氧化碳液体至高于临界点的目标温度以使所述纯化的二氧化碳液体变为超临界二氧化碳流体；及/n使用所述超临界二氧化碳流体来清洁被设置在处理腔室中的基板。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880029367.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
