[发明专利]光电子半导体芯片和用于制造光电子半导体芯片的方法在审
| 申请号： | 201880029625.7 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN110603653A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 伊瓦尔·通林;克里斯蒂安·莱雷尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/64;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春水;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种光电子半导体芯片(100)，所述光电子半导体芯片包括：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有用于发射电磁辐射的有源层(10)。此外，半导体芯片(1)包括在半导体层序列(1)的背侧(12)上的两个接触元件(21，22)以及在半导体层序列(1)的与背侧(12)相对置的前侧(11)上的辐射可穿透的冷却元件(3)。在冷却元件(3)和半导体层序列(1)之间设置有含硅氧烷的转换层(4)。接触元件(21，22)用于电接触半导体芯片(100)并且在半导体芯片(100)的未安装的状态下露出。冷却元件(3)与半导体层序列(1)的生长衬底不同并且具有至少0.7W/(m·K)的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层序列 半导体芯片 冷却元件 光电子半导体芯片 接触元件 电磁辐射 含硅氧烷 电接触 可穿透 热导率 转换层 衬底 源层 发射 辐射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体芯片(100)，包括：/n-半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有用于产生电磁辐射的有源层(10)；/n-在所述半导体层序列(1)的背侧(12)上的两个接触元件(21，22)；/n-在所述半导体层序列(1)的与所述背侧(12)相对置的前侧(11)上的辐射可穿透的冷却元件(3)；/n-在所述冷却元件(3)和所述半导体层序列(1)之间的含硅氧烷的转换层(4)，/n其中/n-所述接触元件(21，22)设置用于电接触所述半导体芯片(100)并且在所述半导体芯片(1)的未安装状态下露出，/n-所述冷却元件(3)与所述半导体层序列(1)的生长衬底不同，/n-所述冷却元件(3)具有至少0.7W/(m·K)的热导率。/n
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