[发明专利]具有旁路栅极晶体管的高功率MMIC器件有效
| 申请号： | 201880029743.8 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN110582846B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | S·M·伍德;J·米里甘;M·弗洛尔斯;D·法雷尔;K·法耶德 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了单片微波集成电路，该单片微波集成电路包括具有形成于其上的晶体管和至少一个附加电路的衬底。该晶体管包括在第一方向上延伸的漏极触件、与该漏极触件平行地在第一方向上延伸的源极触件、在源极触件和漏极触件之间在第一方向上延伸的栅极指以及在该第一方向上延伸的栅极跳线。栅极跳线在沿着第一方向彼此间隔开的两个或更多个位置处导电地连接到栅极指。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 旁路 栅极 晶体管 功率 mmic 器件 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：/n沿着第一轴延伸的漏极触件；/n沿着平行于所述第一轴的第二轴延伸的源极触件；/n在所述源极触件和所述漏极触件之间延伸的栅极指；和/n电连接到所述栅极指的多个间隔开的有损元件，/n其中，当从上方观察所述晶体管时，所述有损元件中的至少一个设置在所述第一轴和所述第二轴之间的区域的一部分中，该部分在所述栅极指的第一端和第二端之间。/n
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