[发明专利]绝缘膜形成用组合物、绝缘膜、及具备绝缘膜的半导体器件在审
| 申请号： | 201880030753.3 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110650987A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 三宅弘人;辻直子;山川章 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | C08G59/20 | 分类号： | C08G59/20;C08G77/14;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可形成绝缘性及耐热性优异、可抑制翘曲的发生、密合性优异的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物包含含有硅氧烷结构单元的聚有机倍半硅氧烷作为聚合性化合物，在所述聚有机倍半硅氧烷中，下述式(I)：[R | ||
| 搜索关键词： | 聚有机倍半硅氧烷 式( I ) 绝缘膜 硅氧烷结构单元 形成用组合物 耐热性 聚合性化合物 数均分子量 环氧当量 绝缘性 密合性 翘曲 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘膜形成用组合物，其包含含有硅氧烷结构单元的聚有机倍半硅氧烷作为聚合性化合物，/n在所述聚有机倍半硅氧烷中，下述式(I)表示的结构单元与下述式(II)表示的结构单元的合计为硅氧烷结构单元总量的55摩尔％以上，/n[R
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C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G59-00 每个分子含有1个以上环氧基的缩聚物；环氧缩聚物与单官能团低分子量化合物反应得到的高分子；每个分子含有1个以上环氧基的化合物使用与该环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-02 .每分子含有1个以上环氧基的缩聚物
C08G59-14 .用化学后处理改性的缩聚物
C08G59-18 .每个分子含有1个以上环氧基的化合物，使用与环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-20 ..以使用的环氧化合物为特征
C08G59-40 ..以使用的固化剂为特征
C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物
C08G59-00 每个分子含有1个以上环氧基的缩聚物；环氧缩聚物与单官能团低分子量化合物反应得到的高分子；每个分子含有1个以上环氧基的化合物使用与该环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-02 .每分子含有1个以上环氧基的缩聚物
C08G59-14 .用化学后处理改性的缩聚物
C08G59-18 .每个分子含有1个以上环氧基的化合物，使用与环氧基反应的固化剂或催化剂聚合得到的高分子
C08G59-20 ..以使用的环氧化合物为特征
C08G59-40 ..以使用的固化剂为特征
