[发明专利]日照遮蔽构件在审

专利信息
申请号: 201880031024.X 申请日: 2018-04-16
公开(公告)号: CN110650841A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 堀江裕树;加藤和广 申请(专利权)人: 中央硝子株式会社
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B9/00;C03C17/36;C03C27/12;E06B5/00;G02B1/115
代理公司: 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的日照遮蔽构件的特征在于,其在透明基材上具有低辐射膜,所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜,该第1电介质膜含有:位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B,该电介质层A的光学膜厚为12~86nm,该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层,该结晶性电介质层的光学膜厚为5~54nm,该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。
搜索关键词: 电介质膜 电介质层 金属膜 结晶性 低辐射膜 光学膜厚 透明基材 依次层叠 遮蔽构件 最上层 日照
【主权项】:
1.一种日照遮蔽构件,其在透明基材上具有低辐射膜,所述低辐射膜依次层叠有第1电介质膜、第1金属膜、第2电介质膜、第2金属膜、第3电介质膜、第3金属膜和第4电介质膜,其特征在于,/n该第1电介质膜含有:位于该透明基材的正上方且包含硅和氮的电介质层A、位于该电介质层A上且包含钛和氧的电介质层B,该电介质层A的光学膜厚为12~86nm,/n该第1电介质膜、该第2电介质膜和第3电介质膜在最上层具有结晶性电介质层,/n该结晶性电介质层的光学膜厚为5~54nm,/n该第1金属膜、该第2金属膜和该第3金属膜为在正下方具有该结晶性电介质层的Ag膜。/n
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