[发明专利]电化学制造锗烷的方法有效
| 申请号： | 201880031037.7 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110612366B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 铃木淳 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C25B1/01 | 分类号： | C25B1/01;C25B9/19 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含钯的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电化学制造锗烷的方法，在具有隔膜、阳极和包含钯的阴极的电化学单元中，向包含锗化合物的电解液通电，在阴极使锗烷产生。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880031037.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电化学制造锗烷的方法
- 下一篇：卷曲纤维和无纺布
