[发明专利]功率半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880031217.5 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110622301B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 大塚拓一;岩桥清太;畑野舞子;渡边龙太;吉原克彦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体装置(1)，具备平板状的第1厚铜层(14)、配置于第1厚铜层(14)上的绝缘片层(16)、配置于绝缘片层(16)上且形成了图案的第2厚铜层(18A)、配置于第2厚铜层(18A)上的导电性的接合层(20)、以及配置于接合层(20)上的半导体功率器件(22)，半导体功率器件(22)与接合层(20)接合，同时，第2厚铜层(18A)的维氏硬度比第1厚铜层(14)的维氏硬度小，为50以下。提供一种功率半导体装置，能够不增加热阻而提高接合的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体装置，其特征在于，/n具备平板状的厚铜基板、部分地配置在所述厚铜基板上的导电性的接合层、配置于所述接合层上的半导体功率器件、以及与所述半导体功率器件的电极电连接的外部连接用端子，所述厚铜基板的维氏硬度为50以下。/n
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