[发明专利]半导体装置布局及其形成方法在审
| 申请号： | 201880031714.5 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110651369A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 彼得·阿尔默恩·洛斯;亚历山大·博洛特尼科夫;斯泰西·乔伊·肯纳利;詹姆斯·威廉姆·克雷奇默 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括具有碳化硅并且具有上表面和下表面的半导体装置层。该半导体装置还包括在半导体装置层的上表面中形成的重掺杂本体区。该半导体装置还包括邻近半导体装置层的上表面并且在半导体装置层的上表面的顶部形成的栅极叠层，其中，栅极叠层未邻近重掺杂本体区形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 上表面 栅极叠层 重掺杂 邻近 碳化硅 下表面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n半导体装置层，所述半导体装置层具有形成在所述半导体装置层中的源极区和重掺杂本体区；/n栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述半导体装置层和栅极电极之间；/n介电层，所述介电层设置在所述栅极电极上方；以及/n栅极叠层，所述栅极叠层包括所述栅极介电层的一部分和所述栅极电极的一部分，其中，所述栅极叠层邻近源极区形成，并且其中，所述栅极叠层未邻近所述重掺杂本体区形成。/n
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