[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880032261.8 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110637366B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 谷江尚史;岛津浩美;伊藤博之 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/12;H01L23/36;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种在陶瓷层中形成有配线层的半导体器件，其能够使半导体开关元件的栅极端子与配线层之间可靠地导通。本发明的半导体器件在形成于绝缘层上的陶瓷层的内部具有配线层，并且具有与半导体开关元件的栅极端子以外的端子连接的金属层，所述半导体开关元件的栅极端子与所述配线层经由用导电材料形成的连接部电连接，与所述金属层相比，所述连接部更加向所述半导体开关元件突出(参照图1)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括半导体开关元件的半导体器件，其特征在于，包括：/n第一绝缘基片，其安装有所述半导体开关元件；和/n第二绝缘基片，其具有绝缘层，在所述绝缘层的一个表面具有配线层和金属层，/n所述绝缘层的所述一个表面和所述第一绝缘基片的安装有所述半导体开关元件的表面彼此相对地配置，/n所述配线层形成在陶瓷层的内部，该陶瓷层形成在所述绝缘层的所述一个表面，/n所述半导体开关元件的栅极端子与所述配线层经由用导电材料形成的连接部和第一接合材电连接，/n所述半导体开关元件的除所述栅极端子以外的端子与所述金属层经由第二接合材电连接，/n从所述绝缘层的所述一个表面到所述连接部的所述第一绝缘基片侧的端部的距离，大于从所述绝缘层的所述一个表面到所述金属层的所述第一绝缘基片侧的表面的距离。/n
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